客戶參數(shù)菜單如下所示：
提示符 | 名 稱 | 設(shè)定范圍 | 說 明 | 初始值 |
AL | 報警設(shè)置 | -60～滿量程 | 當(dāng)AL設(shè)為正時上偏差報警，當(dāng)AL設(shè)為負(fù)時下偏差報警。 | 50.0 |
Pb |
零位調(diào)整 |
-100.0～100.0 | 當(dāng)控制器的零位誤差較大，滿度誤差較小時，調(diào)整該值，一般Pt100很少調(diào)整該值。 | 0.0 |
Pk |
滿度調(diào)整 |
-1000～1000 | 當(dāng)控制器的零位誤差較小，滿度誤差較大時，可調(diào)整該值。Pk=4000×（水銀溫度計讀數(shù)值-當(dāng)前溫度測量值)/當(dāng)前溫度測量值 |
0 |
PID階層菜單如下：
P | 比例帶 | 2～100 | 比例作用調(diào)節(jié)，P越大比例作用越小，系統(tǒng)增益越低，僅作用于加熱側(cè)。 |
15.0 |
I | 積分時間 | 20～3600S | 積分作用時間常數(shù)，I越大，積分作用越弱。 | 400 |
d | 微分時間 | 0～3600S | 微分作用時間常數(shù)，d越大，微分作用越強(qiáng)，并可克服超調(diào)，(d=0 PI控制) | 400 |
Ar | 過沖抑制 | 0～100% | 用于抑制超調(diào) (Ar確定為：1.5～2倍的穩(wěn)態(tài)輸出占空比) | 100 |
t |
控制周期 |
1～100S | 可控硅輸出一般為2～3秒，對剩余功率較大的設(shè)備將T調(diào)大可減小PID控制的靜差。 |
3 |
（三）菌種的置入和培養(yǎng)：
1. 檢查取樣室過道門并關(guān)緊之。
2. 打開取樣室外門,將菌種放入取樣室后關(guān)上外門。
3. 取樣室充氮置換三次過程：
1) 先按“真空泵”鍵抽真空度500毫米汞柱（66kPa)以上停。
2) 按氮?dú)忾y區(qū)的“取樣室”鍵打開電磁閥充入氮?dú)?/span>,真空表回零后停止充氮。
3) 第二次重復(fù)以上操作。
4) 第三次操作時抽取真空后,應(yīng)按混和氣閥區(qū)的“取樣室”鍵打開電磁閥充入混和氣,真空表回零后停止充氣。
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